外域兴农

2017 年 DRAM 整体产值年增 76%,估 2018 年成长率将逾三成

根据 TrendForce 记忆体储存研究(DRAMe Xchange)调查显示,2017 年第四季 DRAM 产业营收表现再创历史新高。价格方面来看,受行动式记忆体接棒涨价带动,以及智慧型手机旗舰机种的旺季效应,以三星为首的 DRAM 厂拉抬行动式记忆体报价,带动行动式记忆体在第四季有 5%~20

外域兴农2020.06.04

2017 年 DRAM 整体产值年增 76%,估 2018 年成长率将逾三成

根据 TrendForce 记忆体储存研究(DRAMe Xchange)调查显示,2017 年第四季 DRAM 产业营收表现再创历史新高。价格方面来看,受行动式记忆体接棒涨价带动,以及智慧型手机旗舰机种的旺季效应,以三星为首的 DRAM 厂拉抬行动式记忆体报价,带动行动式记忆体在第四季有 5%~20% 不等的涨幅(取决于不同的容量),其余各类 DRAM 产品合约价亦普遍较前季再上涨约 5%~10%。2017 年第四季 DRAM 产值较上季再成长 14.2%,全年产值成长率达 76%。

DRAMeXchange 资深研究协理吴雅婷指出,展望 2018 年第一季,PC-OEM 厂已陆续议定合约价格,就一线大厂订价来看,PC DRAM 均价已来到 33 美元,较上一季平均涨幅约达 5%;以北美四大网路服务提供业者为首的资料中心拉货动能仍强,带动本季伺服器记忆体价格上涨 3%~5%。至于智慧型手机第一季买气较原先预期低迷,加上 NAND 跌价与中国发改委因素影响,行动式记忆体价格涨幅较先前收敛,平均价格小幅上涨约 3%。整体产值来看,DRAMeXchange 预估,2018 年 DRAM 产业产值将成长超过三成,规模达 960 亿美元。

观察各厂 2017 年第四季营收表现,三星依然稳坐 DRAM 产业龙头,营收达 101 亿美元,较上季成长 14.5%,再度创下历史新高;SK 海力士营收冲至 63 亿美元,较前季成长 14.1%,两大韩厂的市占率各为 46.0% 与 28.7%,合计已囊括 74. 7% 市占率;美光集团仍旧维持第三,营收达 46 亿美元,季增 13.4%,市占 20.8%。

受到价格持续上涨以及製程微缩所带来的成本效益,三星第四季营业利益率再度改写历史新高,由 62% 上升至 64%;SK 海力士亦从第三季的 56% 再提升至 59%;美光则从 50% 拉升至 53%。展望 2018 年第一季,受惠于 DRAM 价格持续上涨与製程转进所带来的成本效益,三大厂在营收表现上可望再创新猷,各家获利率也可望进一步提升。

三星开启新一波扩产计画,SK 海力士 2019 年开出新产能计画不变

从技术面来看,三星今年的目标除了持续提升 18nm 製程产出比重外,为期近两年 DRAM 涨价带动 DRAM 供应商高获利,以及中国潜在竞争者加入,也让三星决定展开新一波扩产计画,将原本规划做 NAND Flash 的平泽厂 2 楼空间投入生产 DRAM,一方面因应 DRAM 供给吃紧状况,另一方面藉由减少未来 NAND Flash 投片量,来抑制 NAND Flash 的跌价速度,DRAMeXchange 指出,此举对整体记忆体产业属健康发展,并非坏事。

此外,SK 海力士去年底开始导入 18nm 生产,但进入 1Xnm 世代製程难度高、转换不易,SK 海力士目前仍致力于提升 18nm 良率;扩厂计画则维持不变,SK 海力士最快要到 2019 年才会在中国无锡新建的第二座 12 吋厂看到产能开出。美光在技术布局方面,台湾美光记忆体(原瑞晶)17nm 目前产出比重已超过九成,预计今年第二季初将完成转换,而台湾美光晶圆科技(原华亚科)计画今年中开始进行 20nm 往 17nm 转换, 预计今年底可望有一半产能转往 17nm 生产,并于明年上半年全数导入。

台系厂商部分,南亚科第四季营收较前一季大幅成长 26.9%,主要归功于 20nm 转换良率超乎预期,以及价格持续走扬带动。20nm 的成本效益拉升营业利益率至 38.9%,较前一季成长 7 个百分点。展望未来,由于该公司 20nm 良率继续提升,将会持续改善其成本结构,增加获利空间。

力晶科技方面,2017 年第四季 DRAM 营收季持平,主要还是替晶豪科、爱普等 IC 设计业者代工的获利较佳,力晶本身 DRAM 产能转向更高毛利的产品;华邦方面 DRAM 营收则下滑 2.2%,主因为 DRAM 产能受 NOR Flash 产能压缩导致。

2017 年 DRAM 整体产值年增 76%,估 2018 年成长率将逾三成

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